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參數(shù)資料
| 型號： | FLL21E060IY |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L,S-band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段高功率GaAs場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 305K |
| 代理商： | FLL21E060IY |
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
V
DS
=28V, I
DS
=630mA, f=2.14GHz
Output Power vs. Frequency
V
DS
=28V, I
DS
=630mA
FLL21E060IY
L,S-band High Power GaAs FET
Two-Carrier IMD(ACLR) vs. Output Power
V
DS
=28V I
DS
=630mA f
0
=2.135, f
1
=2.145GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
2.04 2.06 2.08
2.1
2.12
2.14 2.16 2.18
2.2
Frequency [GHz]
O
Pin=15dBm
Pin=20dBm
Pin=25dBm
Pin=30dBm
Pin=35dBm
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37
Input Power[dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
D
η
d
Pout
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output Power[dBm]
I
0
5
10
15
20
25
30
35
D
IM3L
IM5L
Drain Efficiency
Single-Carrier ACLR vs. Output Power
V
DS
=28V I
DS
=630mA fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output Power[dBm]
A
0
5
10
15
20
25
30
35
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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