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參數(shù)資料
| 型號： | FLL21E040IK |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | High Voltage - High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 高電壓-高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 366K |
| 代理商： | FLL21E040IK |
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
@V
DS
=28V, I
DS
=500mA f=2.14GHz
Output Power vs. Frequency
@V
DS
=28V, I
DS
=500mA
Two-Carrier IMD(ACLR) & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=500mA fo=2.1325, f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=500mA fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
FLL21E040IK
High Voltage - High Power GaAs FET
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
2
2.05
2.1
2.15
2.2
2.25
2.3
Frequency [GHz]
O
Pin=20dBm
Pin=25dBm
Pin=30dBm
Pin=35dBm
P1dB
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
101214161820222426283032343638
Input Power[dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
D
Pout
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
Output Power [dBm]
IM5
I
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
D
IM3
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
Output Power [dBm]
+/-10MHz
A
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
D
+/-5MHz
Drain Efficiency
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PDF描述 |
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