參數(shù)資料
型號(hào)： FLL21E010MK
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： High Voltage - High Power GaAs FET
中文描述： 高電壓-高功率GaAs場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： FLL21E010MK
3
High Voltage - High Power GaAs FET
FLL21E010MK
S-Parameters @V
DS
=28V I
DS
=300mA f=0.5 to 5.0 GHz
S11
S22
0.5GHz
25
Ω
50
Ω
1.0
4.0
2.0
3.0
0.5GHz
5.0
1.0
2.0
0
3.0
4.0
5.0
∞
+10j
+25j
+50j
+100j
+250j
-10j
-25j
-50j
-100j
-250j
100
Ω
10
Ω
S12
S21
0.4
-90°
0.3
8
0.5GHz
1.0
4
2.0
3
5
±180°
Scale for |S
21
|
0°
+90°
S
S
1
|
6
!freq(GHz)S11(mag) S11(ang) S21(mag) S21(ang) S12(mag) S12(ang) S22(mag) S22(ang)
0.1
0.958
-120.1
38.897
110.3
0.2
0.948
-148.0
20.943
0.3
0.945
-158.9
13.801
0.4
0.946
-164.3
9.953
0.5
0.945
-167.8
7.598
1
0.956
-175.7
2.880
1.1
0.953
-176.5
2.487
1.2
0.955
-177.5
2.153
1.3
0.956
-177.9
1.906
1.4
0.954
-178.8
1.688
1.5
0.956
-179.6
1.526
1.6
0.952
-179.7
1.391
1.7
0.955
179.8
1.255
1.8
0.955
178.8
1.154
1.9
0.959
178.3
1.070
1.95
0.953
178.1
1.023
2
0.956
177.8
0.984
2.05
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177.6
0.961
2.1
0.952
177.4
0.920
2.11
0.959
177.2
0.920
2.12
0.960
177.5
0.910
2.13
0.957
176.9
0.908
2.14
0.958
177.1
0.902
2.15
0.955
176.9
0.891
2.16
0.952
176.7
0.889
2.17
0.957
176.8
0.878
2.18
0.959
176.8
0.873
2.19
0.961
176.7
0.869
2.2
0.954
176.5
0.855
2.25
0.956
176.7
0.832
2.3
0.953
175.9
0.810
2.35
0.956
175.4
0.784
2.4
0.958
175.4
0.771
2.5
0.950
174.6
0.731
2.6
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174.0
0.701
2.7
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2.8
0.953
172.5
0.652
2.9
0.944
171.6
0.635
3
0.949
170.8
0.609
0.005
0.005
0.005
0.004
0.004
0.002
0.002
0.002
0.003
0.003
0.005
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0.004
0.006
0.006
0.007
0.007
0.007
0.008
0.007
0.007
0.008
0.011
0.008
0.007
0.007
0.008
0.007
0.007
0.007
0.008
0.009
0.009
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0.012
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0.013
0.014
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-1.4
-11.9
-12.0
-7.9
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32.1
52.9
50.6
60.6
65.7
61.6
74.9
80.3
73.5
80.8
77.8
77.2
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76.2
74.8
61.1
74.9
74.5
79.2
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77.2
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74.9
80.0
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75.0
78.1
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0.888
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0.899
0.901
0.906
0.900
0.905
0.904
0.910
0.905
0.906
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0.909
0.909
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0.930
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-175.5
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24.4
19.5
15.5
11.7
7.8
4.5
1.3
-1.7
-4.5
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-9.2
-9.9
-11.6
-13.1
-13.4
-13.5
-13.9
-13.4
-14.4
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-15.2
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-16.7
-17.5
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