型號(hào): | FF630 |
元件分類: | 保險(xiǎn)絲 |
英文描述: | Fuse |
中文描述: | 保險(xiǎn)絲 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 27K |
代理商: | FF630 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FF600R12KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 |
FF600R12KL4C | IGBT Module |
FF600R16KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 |
FF600R17KF6CB2V | IGBT Module |
FF600R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FF650R17IE4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF650R17IE4D_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF6R12K4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
FF6R16KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
FF-6X | 制造商:PREMO 制造商全稱:PREMO CORPORATION S.L 功能描述:General Purpose |