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參數(shù)資料
| 型號： | FF600R12KL4C |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | FF600R12KL4C |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF600R16KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 |
| FF600R17KF6CB2V | IGBT Module |
| FF600R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
| FF600R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) |
| FS150R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF600R12ME4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12ME4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1200V |
| FF600R12ME4B11BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FF600R12ME4CB11BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FF600R12ME4P | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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