型號(hào): | FF600R16KF4 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.6KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 601余(丙) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 231K |
代理商: | FF600R16KF4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FS150R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
FS150R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 150A I(C) |
FZ1200R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 1.2KA I(C) |
FD400R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
FD600R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FF600R17KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF600R17KE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF600R17KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF600R17KF6B2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
FF600R17KF6C_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |