- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370194 > FF600R12KF1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FF600R12KF1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 601余（丙）|米：HL124HW114 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | FF600R12KF1 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF600R12KL4C | IGBT Module |
| FF600R16KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) | M:HL124HW114 |
| FF600R17KF6CB2V | IGBT Module |
| FF600R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
| FF600R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 600A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF600R12KF4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12KL4C | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12ME4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF600R12ME4_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1200V |
| FF600R12ME4B11BOSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。