- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371732 > FF200R06KL2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FF200R06KL2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | FF200R06KL2 |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF200R06ME3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R10KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF200R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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