型號(hào): | FF200R12KL |
英文描述: | PHOTO MICROSENSOR |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 200安培一(c)|米:HL093HW048 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 365K |
代理商: | FF200R12KL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
FF200R33KF2V | PHOTO MICROSENSOR |
FF200R10KF2 | Photo Microsensor |
FF25R06KF | PHOTO MICROSENSOR |
FF25R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF25R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FF200R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF200R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF200R12KT3_E | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF200R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF200R12MT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |