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參數(shù)資料
| 型號： | FF200R10KF2 |
| 英文描述： | Photo Microsensor |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 200安培一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | FF200R10KF2 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF25R06KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF25R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF25R10K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | MODULE-S |
| FF25R10KF2 | PHOTO MICROSENSOR |
| FF25R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FF200R12KE3 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FF200R12KE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12KE4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF200R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HD5.6 |
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