參數(shù)資料
型號(hào): FDS6675A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 107K
代理商: FDS6675A
!"#$%"&'(%& %)'"%&'!%*$%('((!'&$$%
"'+'%,'*- %& ''.$'-
/
0!11 2
23451
23 4511 3 45
1 112
1 3
21 62
'($$%+!%
!"'*%("&%%$%%(
7121
1121
21
11 23 2
$2
((
%
1
1112
2
123
1121
2 1
1
2 1
1 1
2
1 2
"
$
$
($
!"#!
$
%
&
'(
)
*
+
!0!$8!#!0!,8
0!,!0
+$!'!
,-./
,0
"
"
"!
"#!
1+#
!%
!
0
#23
#24
#25
(
(+
#
6%
6
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6675 Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6676AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6676 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6676S 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
FDS6678A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6675BZ 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6675BZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDS6676 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6676 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDS6676AS 功能描述:MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube