參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6673AZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 14500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： FDS6673AZ
4
www.fairchildsemi.com
FDS6673AZ Rev. C(W)
F
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -14.5A
V
DS
= -10V
-15V
-20V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
100
μ
s
1ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
°
C/W
T
A
= 25
°
C
10ms
10s
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 125
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
2
P(pk)
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
t
1
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6675A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6675 Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6676AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6676 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6676S 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6673BZ 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6673BZ 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 14.5mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 14.5mA
FDS6673BZ_F085 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6673BZ_G 制造商:Fairchild 功能描述:-30V P-Channel PowerTrench? MOSFET
FDS6675 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*