參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6670A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 242K
代理商： FDS6670A
FDS6670A Rev.D1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Thermal Characteristics
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 13A
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
100
200
500
1000
2000
4000
7000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
30
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON) LIMIT
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V =10V
SINGLE PULSE
R = 125°C/W
T = 25°C
0
0.01
0.1
1
10
100
300
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =125°C/W
T = 25°C
JA
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PDF描述
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