參數(shù)資料
型號： FDS6612A
廠商： Microsemi Corporation
英文描述： EVALUATION KIT
中文描述： 評估板
文件頁數(shù)： 8/18頁
文件大?。?/td> 339K
代理商： FDS6612A
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 8
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
P
ERFORMANCE
G
RAPHS
45%
50%
55%
60%
65%
70%
75%
80%
85%
90%
0
5
10
15
20
25
30
Output Power (W)
E
0
10
20
30
40
50
60
6
11
16
21
26
Supply Voltage (V
IN
)
O
V
IN
= 15V
f
IN
=1kHz
R
L
%
THD+N=1%
-20
+20
-15
-10
-5
+5
+10
+15
-0.08
-0.59
V
10
80k
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
50k
17.88k
18.2
Frequency (Hz)
0.001
100
50
0.002
0.005
0.01
0.02
0.1
0.04
0.5
0.26
1
2
5
10
20
T
50m
30
100m
200m
500m
2
5
10
20
24.56
1.13
Output Power (W)
V
IN
=15V
R
L
%
R
O
=1W
RMS
V
IN
=15V
f
IN
=1kHz
R
L
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS4953 Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6612A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5670 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5672 N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS6614A 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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