參數(shù)資料
型號： FDS6612A
廠商： Microsemi Corporation
英文描述： EVALUATION KIT
中文描述： 評估板
文件頁數(shù)： 17/18頁
文件大?。?/td> 339K
代理商： FDS6612A
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 17
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
P
RINTED
C
IRCUIT
B
OARD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS4953 Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6612A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5670 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5672 N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6612A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH :ROHS COMPLIANT
FDS6612A_03 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612A_D84Z 功能描述:MOSFET Single N-Ch LL Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6612A_Q 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6614A 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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