參數(shù)資料
型號： FDS6375
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CONN RCPT .100 100POS DUAL HORZ
中文描述： 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： FDS6375
F
FDS6375 Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
DC
1s
10s
100ms
10ms
100
μ
s
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Qg, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -8.0A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f= 1 MHz
V
GS
= 0V
C
iss
C
oss
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
FDS6570A Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDS6572A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6574A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6575 Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6576 P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6375 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8
FDS6375_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDS6375_Q 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6570A 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6572A 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*