參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6375
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CONN RCPT .100 100POS DUAL HORZ
中文描述： 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： FDS6375
F
FDS6375 Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
-
S
,
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4A
T
J
= 125
o
C
25
o
C
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
DS
= -5V
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -8A
V
GS
= -10V
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PDF描述
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