參數(shù)資料
型號(hào)： FB20R06KL4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 195K
代理商： FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
I
F
V
F
[V]
R
T
C
[°C]
Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
Tj = 25°C
Tj = 150°C
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
Rtyp
100
1000
10000
100000
0
20
40
60
80
100
120
140
9(11)
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FB20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3ENG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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