參數(shù)資料
型號: FB20R06KL4
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
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代理商: FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Z
t
t [s]
47 Ohm
I
C
V
CE
[V]
Transienter Wrmewiderstand Wechselr.
Z
thJH
= f (t)
Transient thermal impedance Inverter
0,100
1,000
10,000
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth-IGBT
Zth-FWD
i
1 2 3 4
IGBT: r
i
[K/W]: 118,66e-3 592,55e-3 464,26e-3 624,52e-3
FWD: r
i
[K/W]: 245,4e-3 1,22 956,8e-3 1,27
i
[s]: 3e-6 79,74e-3 10,28e-3 226,61e-3
i
[s]: 3e-6 80,4e-3 10,35e-3 227,3e-3
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
I
C
= f (V
CE
)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)
T
vj
= 125°C, V
GE
= ±15V, R
G
=
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
8(11)
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FB20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: