參數(shù)資料
型號(hào)： FB20R06KL4
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： FB20R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorlufig
Preliminary
300 V
47 Ohm
E
I
C
[A]
300 V
E
R
G
[ ]
Schaltverluste Wechselr. (typisch) E
on
= f (I
C
), E
off
= f (I
C
), E
rec
= f (I
C
)
V
CC
=
Switching losses Inverter (typical)
T
j
= 125°C, V
GE
= ±15 V, R
Gon
= R
Goff
=
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste Wechselr. (typisch) E
on
= f (R
G
), E
off
= f (R
G
), E
rec
= f (R
G
)
Switching losses Inverter (typical)
T
j
= 125°C, V
GE
= +-15 V , I
c
= I
nenn
, V
CC
=
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Eon
Eoff
Erec
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參數(shù)描述
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FB20R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3_B1 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 20A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB20R06W1E3ENG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FB20R06XE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 27A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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