參數(shù)資料
型號(hào): FB10R06KL4G
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大小: 191K
代理商: FB10R06KL4G
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4 G
Vorlufig
Preliminary
I
F
V
F
[V]
R
T
C
[°C]
Durchlakennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
Tj = 25°C
Tj = 150°C
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
Rtyp
100
1000
10000
100000
0
20
40
60
80
100
120
140
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FB10R06KL4GB1 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Modules
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FB10R06VE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: