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參數(shù)資料
| 型號： | FB15R06KL4 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | FB15R06KL4 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorlufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
=25°C
V
RRM
800
V
Durchlastrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
T
C
=80°C
I
FRMSM
58
A
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
T
C
=80°C
I
RMSmax
96
A
Stostrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
448
358
1000
642
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
T
vj
=25°C
V
CES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 65°C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
15
19
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
=80°C
I
CRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
60
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
15
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
30
A
Grenzlastintegral
I
2
t - value
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
25
A
2
s
prepared by: Thomas Passe
date of publication: 2002-02-13
approved by: Ingo Graf
revision: 4
1(11)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FB2012AA | 80x86 Bus Arbiter |
| FB2012IAA | 80x86 Bus Arbiter |
| FB2031BB-T | 9-Bit Bus Transceiver |
| FB2031IBB | 9-Bit Bus Transceiver |
| FB2033BB-T | Single 8-Bit Inverting Bus Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FB15R06KL4_B1 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 19A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06KL4B1 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:1GBT-Module |
| FB15R06VE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FB15R06W1E3BOMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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