參數(shù)資料
型號(hào): FB10R06KL4G
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
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代理商: FB10R06KL4G
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4 G
Vorlufig
Preliminary
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
V
GE
= 15 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
T
vj
= 125°C
5(11)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FB10R06KL4GB1 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Modules
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FB10R06VE3ENG 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FB10R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: