型號(hào): | FB10R06KL4G |
英文描述: | IGBT Module |
中文描述: | IGBT模塊 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/11頁(yè) |
文件大?。?/td> | 191K |
代理商: | FB10R06KL4G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FB15R06KL4 | IGBT Module |
FB2012AA | 80x86 Bus Arbiter |
FB2012IAA | 80x86 Bus Arbiter |
FB2031BB-T | 9-Bit Bus Transceiver |
FB2031IBB | 9-Bit Bus Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FB10R06KL4G_B1 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FB10R06KL4GB1 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Modules |
FB10R06VE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FB10R06VE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FB10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |