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參數(shù)資料
| 型號： | ES29BDS160ET-90RTGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160ET-90RTGI |
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ES I
35
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address
OE#
WE#
DQ0-DQ6
CE#
RY/BY#
tRC
Figure 22. Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
VA
tBUSY
HIGH-Z
Valid Data
tCH
tACC
tCE
tOH
tDF
tOE
tOEH
True
Complement
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
HIGH-Z
DQ7
NOTE : VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle
AC CHARACTERISTICS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS160FT-70TGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320DT-90RTGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320ET-90RTGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS320FT-70TGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400DB-70TGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ES29BDS160ET-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160F-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160F-70RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160F-70WCI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS160FB-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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