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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS160ET-90RTGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/51頁(yè) |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160ET-90RTGI |
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ES I
34
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address
OE#
WE#
DATA
2AAh
CE#
Vcc
RY/BY#
tWC
Erase Command Sequence (last two cycles)
VA
SA
VA
tAS
tVCS
tBUSY
tWHWH2
In
Progress
Complete
55h
30h
tWP
tCS
tWPH
tRB
tCH
Read Status Data
555h for chip erase
10h for chip erase
tDS t
DH
NOTES :
1. SA = sector address(for Sector Erase), VA = valid address for reading status data(see “Write Operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 21. Chip/Sector Erase Operation Timings
AC CHARACTERISTICS
tAH
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