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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS160ET-90RTGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160ET-90RTGI |
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ES I
28
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Test Condition
70
90
Output Load
1TTL gate
Output Load Capacitance, CL (including jig
capacitance)
30 pF
100 pF
Input Rise and Fall Times
5 ns
Input Pulse Levels
0.0 - 3.0 V
Input timing measurement reference levels
1.5 V
Output timing measurement reference levels
1.5 V
Table 8. Test Specifications
Key To Switching Waveforms
Device
Under
Test
3.3V
2.7k
CL
6.2k
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
Figure 14. Test Setup
Note: Diodes are IN3064 or equivalent
Measurement Level
Output
Input
3.0V
0.0V
1.5V
Figure 15. Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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