型號(hào): | EPC8 |
廠商: | Altera Corporation |
英文描述: | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
中文描述: | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/36頁(yè) |
文件大?。?/td> | 283K |
代理商: | EPC8 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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EPC-8 | 制造商:Curtis Industries 功能描述: |
EPC8002 | 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):65V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 500mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):21pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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