參數(shù)資料
型號: EP4SE530F43C3NES
廠商: Altera
文件頁數(shù): 71/82頁
文件大小: 0K
描述: IC STRATIX IV E 530K 1760-FBGA
標準包裝: 3
系列: STRATIX® IV E
LAB/CLB數(shù): 21248
邏輯元件/單元數(shù): 531200
RAM 位總計: 28033024
輸入/輸出數(shù): 1120
電源電壓: 0.87 V ~ 0.93 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 85°C
封裝/外殼: 1760-BBGA,F(xiàn)CBGA
供應商設備封裝: 1760-FCBGA
Chapter 1: DC and Switching Characteristics for Stratix IV Devices
1–65
Glossary
March 2014
Altera Corporation
Stratix IV Device Handbook
Volume 4: Device Datasheet and Addendum
J
J
High-speed I/O block: Deserialization factor (width of parallel data bus).
JTAG Timing
Specifications
JTAG Timing Specifications:
K, L,
M, N, O
——
P
PLL
Specifications
Diagram of PLL Specifications (1)
Note:
(1) Core Clock can only be fed by dedicated clock input pins or PLL outputs.
Q
——
RRL
Receiver differential input discrete resistor (external to Stratix IV device).
Table 1–54. Glossary Table (Part 2 of 4)
Letter
Subject
Definitions
TDO
TCK
tJPZX
t
JPCO
tJPH
t JPXZ
tJCP
tJPSU
t JCL
tJCH
TDI
TMS
Core Clock
External Feedback
Reconfigurable in User Mode
Key
CLK
N
M
PFD
Switchover
VCO
CP
LF
CLKOUT Pins
GCLK
RCLK
fINPFD
fIN
fVCO
fOUT
fOUT_EXT
Counters
C0..C9
相關PDF資料
PDF描述
XC2V6000-5FF1152I IC FPGA VIRTEX-II 1152FCBGA
EP4SE530F43C3ES IC STRATIX IV E 530K 1760-FBGA
EP2SGX90EF1152C5ES IC STRATIX II GX 90K 1152-FBGA
IDT71256SA20PZGI IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
IDT71256SA12PZGI IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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EP4SE530F43C4ES 制造商:Altera Corporation 功能描述:IC FPGA 1120 I/O 1760FBGA
EP4SE530F43C4N 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 976 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
EP4SE530F43C4NES 制造商:Altera Corporation 功能描述:IC FPGA 1120 I/O 1760FBGA 制造商:Altera Corporation 功能描述:IC STRATIX IV E FPGA 1760FBGA
EP4SE530F43I3 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 976 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256