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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2508ABSE-GE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| 中文描述： | 256M比特的超DDR2 SDRAM的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 3/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 708K |
| 代理商： | EDE2508ABSE-GE |
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EDE2508ABSE, EDE2516ABSE
Preliminary Data Sheet E0573E30 (Ver. 3.0)
3
Pin Configurations
/xxx indicates active low signal.
60-ball FBGA (
μ
BGA)
(
×
8 organization)
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
1
VDDQ
VDD
VDDL
2
VSSQ
UDM
DQ14
DQ9
VSSQ
DQ12
NC
VREF
3
VSS
NC
VDDQ
DQ11
VSS
CKE
/WE
VSS
7
VSSQ
UDQS
VDDQ
DQ10
VSSQ
/RAS
8
/UDQS
VSSQ
DQ15
DQ8
VSSQ
DQ13
/LDQS
/CK
M
N
P
R
VDD
A12
NC
NC
NC
9
VDDQ
VDDQ
DQ6
DQ4
VSSQ
DQ1
VDDQ
VSSQ
LDM
VDDQ
DQ3
LDQS
VDDQ
VSSQ
DQ0
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ5
DQ7
VDDQ
VSSDL
CK
VDD
VSS
A10
A3
A7
A1
A5
A9
A2
A6
A11
A0
A4
A8
VDD
VSS
(Top view)
84-ball FBGA (
μ
BGA)
(
×
16 organization)
BA0
BA1
/CAS
/CS
NC
ODT
VDD
1
DQ6
VDDQ
DQ4
VDDL
VSS
VDD
2
NU/ /RDQS
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
BA0
A10
A3
A7
A12
3
VSS
DM/RDQS
VDDQ
DQ3
VSS
/WE
BA1
A1
A5
A9
NC
7
VSSQ
DQS
VDDQ
DQ2
VSSDL
/RAS
/CAS
A2
A6
A11
NC
8
/DQS
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/CK
/CS
A0
A4
A8
NC
9
VDDQ
DQ7
VDDQ
DQ5
VDD
VDD
VSS
(Top view)
NC
ODT
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Pin name
Function
Pin name
Function
A0 to A12
Address inputs
ODT
ODT control
BA0, BA1
Bank select
VDD
Supply voltage for internal circuit
DQ0 to DQ15
DQS, /DQS
UDQS, /UDQS
LDQS, /LDQS
RDQS, /RDQS
Data input/output
VSS
Ground for internal circuit
Differential data strobe
VDDQ
Supply voltage for DQ circuit
Differential data strobe for read
VSSQ
Ground for DQ circuit
/CS
Chip select
VREF
Input reference voltage
/RAS, /CAS, /WE
Command input
VDDL
Supply voltage for DLL circuit
CKE
Clock enable
VSSDL
Ground for DLL circuit
CK, /CK
Differential clock input
NC*
1
No connection
DM, UDM, LDM
Write data mask
NU*
2
Not usable
Notes: 1. Not internally connected with die.
2. Don’t use other than reserved functions.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2516ABSE-GE | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2508ABSE-GE-E | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2516ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-GE-E | 256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE5104ABSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2508ABSE-GE-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM |
| EDE2508ACSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ACSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR2 SDRAM |
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