分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3483DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3483DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3483DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP 0 3,000:$0.42700
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0 3,000:$0.58800
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 45 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SI4477DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.58800
SI3483DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫歐 @ 6.2A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.14W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)