分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7655DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI7655DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 45 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SI7655DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 10V
功率 - 最大: 57W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 剪切帶 (CT)