分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4497DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4497DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 377 1:$2.13000
25:$1.64160
100:$1.48960
250:$1.33760
500:$1.15520
1,000:$0.97280
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.82080
5,000:$0.79040
12,500:$0.76000
25,000:$0.74480
62,500:$0.72960
SI4497DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 36A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9685pF @ 15V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)