分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SISA10DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SISA10DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 0 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 31 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SISA10DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2425pF @ 15V
功率 - 最大: 39W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: Digi-Reel®