分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4477DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI4477DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI4477DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
0 |
2,500:$0.58800
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SI4477DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
26.6A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
6.2 毫歐 @ 18A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
190nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
4600pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
6.6W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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