參數(shù)資料
型號(hào): DT410EL
廠商: DIODES INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: 2.1 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 73K
代理商: DT410EL
D
S
11601 Rev.C-4
3 of 4
DT410EL
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
I
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DS
V
= 10V
GS
6.0
5.0
4.0
3.5
3.0
2.5
0
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
I
D
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4, Transfer Characteristics
GS
V
= 10V
DS
T = -55 C
25
125
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
175
R
,
D
T, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Fig. 3, On-Resistance vs Temperature
I = 2.1A
V
GS
= 5V
0.5
1.0
1.5
2.0
0
2
4
6
8
10
R
,
D
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2, On-Resistance vs Gate Voltage and Drain Current
V
= 3.0V
GS
3.5
4.0
5.0
6.0
10
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