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參數(shù)資料
| 型號： | DS1270Y-100 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDMA36 |
| 封裝： | 0.740 INCH, DIP-36 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | DS1270Y-100 |
DS1270Y/AB
3 of 8
102999
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
-0.3V to +7.0V
Operating Temperature
0°C to 70°C; -40°C to +85°C for IND parts
Storage Temperature
-40°C to +70°C; -40°C to +85°C for IND parts
Soldering Temperature
260°C for 10 seconds
*
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(tA: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
DS1270AB Power Supply Voltage
VCC
4.75
5.0
5.25
V
DS1270Y Power Supply Voltage
VCC
4.5
5.0
5.5
V
Logic 1 Input Voltage
VIH
2.2
VCC
V
Logic 0 Input Voltage
VIL
0
+0.8
V
DC ELECTRICAL
(VCC=5V
±=5% for DS1270AB)
CHARACTERISTICS
(tA: See Note 10) (VCC=5V
±=10% for DS1270Y)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Leakage Current
IIL
-4.0
+4.0
A
I/O Leakage Current
IIO
-4.0
+4.0
A
Output Current @ 2.4V
IOH
-1.0
mA
Output Current @ 0.4V
IOL
2.0
mA
Standby Current CE =2.2V
ICCS1
1.0
1.5
mA
Standby Current CE =VCC-0.5V
ICCS2
150
350
A
Operating Current
ICCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1270AB)
VTP
4.50
4.62
4.75
V
Write Protection Voltage (DS1270Y)
VTP
4.25
4.37
4.5
V
CAPACITANCE
(tA=25
°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
20
40
pF
Output Capacitance
CI/O
20
40
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1270Y-70 | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA36 |
| DS1270AB-100 | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDMA36 |
| DS1270AB-70 | 2M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDMA36 |
| DS1284Q | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PQCC28 |
| DS12885Q | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PQCC28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1270Y-100# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1270Y-70 | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1270Y-70# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1270Y-70IND | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1270Y-70IND# | 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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