參數(shù)資料
型號(hào)： DS1270AB-70
英文描述： 16M Nonvolatile SRAM
中文描述： 1,600非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 173K
代理商： DS1270AB-70
DS1270Y/AB
3 of 8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(t
A
: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
DS1270AB Power Supply Voltage
V
CC
DS1270Y Power Supply Voltage
V
CC
Logic 1 Input Voltage
V
IH
Logic 0 Input Voltage
V
IL
DC ELECTRICAL
(V
CC
=5V
±
=
5% for DS1270AB)
CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
=
10% for DS1270Y)
PARAMETER
SYMBOL
Input Leakage Current
I
IL
I/O Leakage Current
I
IO
Output Current @ 2.4V
I
OH
Output Current @ 0.4V
I
OL
Standby Current
CE
=2.2V
I
CCS1
Standby Current
CE
=V
CC
-0.5V
I
CCS2
Operating Current
I
CCO1
Write Protection Voltage (DS1270AB)
V
TP
Write Protection Voltage (DS1270Y)
V
TP
CAPACITANCE
(t
A
=25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
Input Capacitance
C
IN
Output Capacitance
C
I/O
-0.3V to +6.0V
0°C to 70°C; -40°C to +85°C for IND parts
-40°C to +70°C; -40°C to +85°C for IND parts
260°C for 10 seconds
MIN
4.75
4.5
2.2
0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V
CC
+0.8
UNITS NOTES
V
V
V
V
MIN
-4.0
-4.0
-1.0
2.0
4.50
4.25
TYP
1.0
100
4.62
4.37
MAX
+4.0
+4.0
1.5
250
85
4.75
4.5
UNITS NOTES
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
μ
A
mA
V
V
MIN
TYP
20
20
MAX
40
40
UNITS NOTES
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1270AB-70IND 16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y 16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-100 16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-100IND 16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-70 16M Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1270AB-70# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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DS1270AB-70IND# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1270W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1270W-100# 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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