參數(shù)資料
型號(hào)： DS1258Y-70
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： Static RAM
英文描述： 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DIP40
封裝： 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-40
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 156K
代理商： DS1258Y-70
DS1258Y/AB
5 of 8
WRITE CYCLE 1
SEE NOTE 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1258Y-100 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DIP40
DS1265AB-100 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA36
DS1265Y-70 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA36
DS1265AB 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36
DS1265Y 1M X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP36
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1258Y-70# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1258Y-70IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1258Y-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM
DS1258Y-70IND# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1259 功能描述:電池管理 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類(lèi)型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel
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