參數(shù)資料
型號(hào)： DS1245W
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 1024K Nonvolatile SRAM(3.3V 1024K 非易失性靜態(tài)RAM)
中文描述： 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： DS1245W
V
CC
2.7V
t
F
t
PD
t
R
t
REC
BACKUP CURRENT-
SUPPLIED FROM
LITHIUM BATTERY
CE,
WE
V
TP
t
DR
SLEWS WITH
V
CC
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PU
V
IH
DS1245W
030598 6/11
WRITE CYCLE 2
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WC
V
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V
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ADDRESSES
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OUT
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DATA IN STABLE
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AW
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WP
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V
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t
COE
t
ODW
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DS
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DH2
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
DS1245W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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