參數(shù)資料
型號： DS1245W
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 1024K Nonvolatile SRAM(3.3V 1024K 非易失性靜態(tài)RAM)
中文描述： 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： DS1245W
DS1245W
030598 4/11
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=3.3V
±
0.3V)
PARAMETER
SYMBOL
DS1245W–150
TYPE
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
150
ns
Access Time
t
ACC
150
ns
OE to Output Valid
t
OE
70
ns
CE to Output Valid
t
CO
150
ns
OE or CE to Output Active
t
COE
5
ns
5
Output High Z from Deselection
t
OD
35
ns
5
Output Hold from Address Change
t
OH
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
150
ns
Write Pulse Width
t
WP
100
ns
3
Address Setup time
t
AW
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
5
20
ns
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
60
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
20
ns
ns
12
13
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PDF描述
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參數(shù)描述
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DS1245W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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