參數(shù)資料
型號(hào): DS1220Y-200
英文描述: 16k Nonvolatile SRAM
中文描述: 16K的非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù): 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 164K
代理商: DS1220Y-200
DS1220Y
8 of 8
PKG
DIM
A IN.
MM
B IN.
MM
C IN.
MM
D IN.
MM
E IN.
MM
F IN.
MM
G IN.
MM
H IN
MM
J IN.
MM
K IN.
MM
24-PIN
MIN
1.320
33.53
0.695
17.65
0.390
9.91
0.100
2.54
0.017
0.43
0.120
3.05
0.090
2.29
0.590
14.99
0.008
0.20
0.015
0.38
MAX
1.340
34.04
0.720
18.29
0.415
10.54
0.130
3.30
0.030
0.76
0.160
4.06
0.110
2.79
0.630
16.00
0.012
0.30
0.021
0.53
DS1220Y NONVOLATILE SRAM, 24-PIN 720-MIL EXTENDED MODULE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100-IND M39012 MIL RF CONNECTOR
DS1220AB-120-IND M39012 MIL RF CONNECTOR
DS1220AD-100-IND 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-120-IND 16k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1220Y-200+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1220Y-200-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1220Y-200IND+ 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1221 功能描述:IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 - 控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件
DS1221S 功能描述:IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 - 控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件