參數(shù)資料
型號(hào)： DS1220Y-200
英文描述： 16k Nonvolatile SRAM
中文描述： 16K的非易失SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 164K
代理商： DS1220Y-200
DS1220Y
6 of 8
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTE 11
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
PARAMETER
CE at V
IH
before Power-Down
V
CC
Slew from V
TP
to 0V
V
CC
Slew from 0V to V
TP
CE at V
IH
after Power-Up
SYMBOL
t
PD
t
F
t
R
t
REC
MIN
0
100
0
MAX
UNITS
μ
s
μ
s
μ
s
ms
(T
A
= 25
°
C)
UNITS
years
NOTES
11
2
PARAMETER
Expected Data Retention Time
SYMBOL
t
DR
MIN
10
MAX
NOTES
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery
backup mode.
NOTES:
1.
WEis high for a read cycle.
2.
OE= V
IH
or V
IL
. If OE = V
IH
during a write cycle, the output buffers remain in a high impedance
state.
3.
t
WP
is specified as the logical AND of CE and WE. t
WP
is measured from the latter of CE orWE
going low to the earlier of CEor WE going high.
4.
t
DS
are measured from the earlier of CE or WE going high.
5.
These parameters are sampled with a 5 pF load and are not 100% tested.
6.
If the CE low transition occurs simultaneously with or later than the WE low transition in write
cycle 1, the output buffers remain in a high impedance state during this period.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1220 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100-IND M39012 MIL RF CONNECTOR
DS1220AB-120-IND M39012 MIL RF CONNECTOR
DS1220AD-100-IND 16k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-120-IND 16k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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