參數(shù)資料
型號(hào)： DMN5L06W
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 134K
代理商： DMN5L06W
DS30613 Rev. 3 - 2
3 of 4
DMN5L06W
www.diodes.com
1
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
10
0.1
1
0.001
0.01
0.1
V
Pulsed
= 5V
GS
T = -55 C
°
T = 150 C
°
T = -25 C
°
T = 25 C
°
T = 0 C
°
T = 125 C
°
T = 85 C
°
V
GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
GS,
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
T = 25 C
Pulsed
°
I = 140mA
I = 280mA
N
T , CHANNEL TEMPERATURE ( C)
Fig. 7
Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Channel Temperature
°
0.5
0.9
0.7
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
2.1
2.5
2.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I = 140mA
V
Pulsed
= 10V
GS
I = 280mA
I
,
D
0.001
0.01
0.1
0.5
0
1
1
V
,
Fig. 8 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Voltage
SD
SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
T
= -55 C
A
°
T = -25 C
°
T = 25 C
°
T
= 85 C
A
°
T
= 125 C
A
°
T
= 150 C
A
°
V
Pulsed
= 0V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN5L06W-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06 SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06-7 SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DMK-7 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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DMN5L06WK-7 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DMN600V 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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