參數(shù)資料
型號： DBFS50R12KT320
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 186K
代理商： DBFS50R12KT320
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS50R06YL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wrmewiderstand
transient thermal impedance
i
r
i
[K/kW]: IGBT
τ
i
[s]: IGBT
r
i
[K/kW]: Diode
τ
i
[s]: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= ±15V, T
j
=125°C
Z
thJH
= f (t)
0,00056
0,01240
0,12800
0,25430
1
57,0
0,00075
75,0
2
190,0
0,02088
210,0
3
532,0
0,14800
885,0
4
171,0
0,25430
330,0
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
IC, Modul
1,0000E-02
1,0000E-01
1,0000E+00
1,0000E+01
0,001
0,01
0,1
t (s)
10
Z
t
(
Zth:IGBT
Zt1
7 (9)
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