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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DBFP40R12KT320 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | DBFP40R12KT320 |
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP40R12KT3
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-7-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 40 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
10
20
30
40
50
60
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,06769
0,002345
2
0,2709
0,0282
3
0,1523
0,1128
4
0,1052
0,282
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 27 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TY = 25°C
TY = 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBFP40R12KT3G21 | IGBT Module |
| DBFP75R12KT320 | IGBT Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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