參數(shù)資料
型號： D121K
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： D121K
0
0,1
0,2
0,3
D121K_5
2a
2b
2c
1a+
1c
+
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D121K_4
0
0,1
0,2
0,3
2a
1c
2b
2c
1a
1b
+
0
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
D121K_6
3
2
1
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
t [s]
t [s]
(normiert)
i2dt
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
p
t
[ms]
0 0
0,5
1,0
1,5
2,0
D121K_1
2,5
1000
800
[A]
600
400
200
v
F
[V]
i
F
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i2t
∫
i2dt = f(t
p
)
t
vj
= 180 °C
t
vj
= 25 °C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A;
t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 120 A;
t
C
= 113 °C; t
vj
= 180 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A;
t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 120 A;
t
C
= 113 °C; t
vj
= 180 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 121 K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D121N SCR / Diode Presspacks
D1222UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 60W - 12.5V - 175MHz PUSH-PULL
D124C Fixed Inductors for Surface Mounting
D125AP HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC
D125BP HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D121K08B 功能描述:整流器 800V 210A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D121K12B 功能描述:整流器 1.2KV 210A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D121K13B 制造商:n/a 功能描述:Diode
D121K14B 制造商:n/a 功能描述:Diode
D121K15B 制造商:n/a 功能描述:Diode
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