參數(shù)資料
型號： D121K
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： D121K
D 121 K
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
800, 1200, 1400
V
1800, 2000
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
330
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 113 °C
I
FAVM
120
A
t
c
= 25 °C
210
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
2,85
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
2,4
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
40,6
A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
28,8
A
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 650 A
V
T
max. 2,04
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,72
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
1,9
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 20
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
Θ
= 180° sin
R
thJC
max. 0,434
°C/W
to case
DC
max. 0,420
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
R
thCK
max. 0,04
°C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
180
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+180
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+180
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 15 mm
Anzugsdrehmoment
tightening torque
Gehuseform/case design B
M1
20
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 175
g
Kriechstrecke
creepage distance
12
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
Seite/page
Polaritt
polarity
Kathode=Gehuse/case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D121N SCR / Diode Presspacks
D1222UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 60W - 12.5V - 175MHz PUSH-PULL
D124C Fixed Inductors for Surface Mounting
D125AP HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC
D125BP HEX MOSFET DRIVER|BIPOLAR|DIP|14PIN|CERAMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D121K08B 功能描述:整流器 800V 210A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D121K12B 功能描述:整流器 1.2KV 210A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D121K13B 制造商:n/a 功能描述:Diode
D121K14B 制造商:n/a 功能描述:Diode
D121K15B 制造商:n/a 功能描述:Diode
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