參數(shù)資料
型號: D10040200GT
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Product Specification
中文描述: 產(chǎn)品規(guī)格
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 136K
代理商: D10040200GT
Product Specification
D10040200GT
GaAs Power Doubler, 40 – 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
G
G
+
G
G
O
Pinning:
min
max
A
44,4
44,8
B
C
13,4
19,9
13,8
20,9
D
7,85
8,15
E
12,45
12,75
F
G
37,9
3,95
38,3
4,2
H
3,8
4,2
I
25,2
25,6
J
-
-
K
4,0
4,4
L
27,0
27,4
M
11,1
12,1
N
5,4
6,2
O
0,23
0,27
P
Q
0,42
2,24
0,48
2,84
R
2,04
3,04
S
T
2,29
4,83
2,79
5,33
U
4,83
5,33
nominal
44,6
± 0,2
13,6
± 0,2
20,4
± 0,5
8
± 0,15
12,6
± 0,15
38,1
± 0,2
4
+0,2 / -0,05
4
± 0,2
25,4
± 0,2
UNC6-32
4,2
± 0,2
27,2
± 0,2
11,6
± 0,5
5,8
± 0,4
0,25
± 0,02
0,45
± 0,03
2,54
± 0,3
2,54
± 0,5
2,54
± 0,25
5,08
± 0,25
5,08
± 0,25
All Dimensions in mm:
European
Projection
Notes:
5
10mm
0
scale
123 5 789
R
O
Q
M
B
N
L
F
A
D
H
G
T
S
P
J
U
I
E
C
K
Page 3 of 4
2005 Aug 04
Document Revision Level B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D1004UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(80W-28V-175MHz,單端))
D1004 METAL GATE RF SILICON FET
D1004UK METAL GATE RF SILICON FET
D1005UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(80W-28V-175MHz,單端))
D1005 METAL GATE RF SILICON FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D10040200GTH 制造商:PDI 制造商全稱:PDI 功能描述:GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC
D1004020B1000FP000 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Res Thick Film 0402 100 Ohm 1% 1/16W 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Res Thick Film 0402 100 Ohm 1% 1/16W ±100ppm/°C Molded SMD Paper T/R
D1004020B1001FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 1K 1% 100 P0
D1004020B1002FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 10K 1% 100 P0
D1004020B1003FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 100K 1% 100 P0