參數(shù)資料
型號： D10040200GT
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Product Specification
中文描述： 產(chǎn)品規(guī)格
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 136K
代理商： D10040200GT
Product Specification
D10040200GT
GaAs Power Doubler, 40 – 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
CHARACTERISTICS
Table 2: Distortion data 40 – 870 MHz; V
B
= 24V; T
mb
= 30°C; Z
S
= Z
L
= 75
SYMBOL
CTB
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
- 64
MAX.
- 62
UNIT
dBc
132 ch. flat; Vo = 44 dBmV;
1)
XMOD
132 ch. flat; Vo = 44 dBmV;
1)
-
- 60
- 58
dBc
CSO
132 ch. flat; Vo = 44 dBmV;
1)
-
-65
-63
dBc
Notes:
1)
132 channels, NTSC frequency raster: 55.25 MHz to 865.25 MHz, +44 dBmV flat output level.
Composite Second Order (CSO)
The CSO parameter (both sum and difference products) is defined by the NCTA.
Composite Triple Beat (CTB)
The CTB parameter is defined by the NCTA.
Cross Modulation (XMOD)
Cross modulation (XMOD) is measured at baseband (selective voltmeter method), referenced to 100% modulation of the
carrier being tested.
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2005 Aug 04
Document Revision Level B
相關PDF資料
PDF描述
D1004UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(80W-28V-175MHz,單端))
D1004 METAL GATE RF SILICON FET
D1004UK METAL GATE RF SILICON FET
D1005UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(80W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(80W-28V-175MHz,單端))
D1005 METAL GATE RF SILICON FET
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參數(shù)描述
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D1004020B1001FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 1K 1% 100 P0
D1004020B1002FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 10K 1% 100 P0
D1004020B1003FP000 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:D10 100K 1% 100 P0
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