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DFE252012PD-1R0M=P2
深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2870
Murata
2105
-

DFE252012PD-1R0M=P2
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
MURATA
con
24+
-
電感器

DFE252012PD-1R0M=P2
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪先生
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
MURATA
con
24+
-
電感器

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深圳市佳鑫特電子有限公司
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聯(lián)系人：陳
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39000
MURATA假一賠萬
-
MURATA假一賠萬

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深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
MURATA
SMD
21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價超代理★

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深圳市百潤電子有限公司
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聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
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SMD
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全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

DFE252012PD-1R0M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
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100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012PD
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
類型
繞線
材料 - 磁芯
金屬
電感
1μH
容差
±20%
額定電流
3.2A
電流 - 飽和值
3.8A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
42 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
特性
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
供應商器件封裝
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

DFE252012PD-1R0M=P2 技術(shù)參數(shù)

DFE252012P-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 200 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012P-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 84 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:84 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:3.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252012P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 42 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:4.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3